這兩款器件采用最小延遲快速導通設(shè)計和創(chuàng)新的自適應(yīng)關(guān)斷技術(shù)，無需增加外部組件即可最大限度延長同步整流MOSFET管的導通時間，并最大程度降低電路中的寄生電感效應(yīng)，從而使電路系統(tǒng)能效大幅改善，物料清單成本明顯降低。
SRK1000A和SRK1000B兩款產(chǎn)品都能用于各種反激式控制器，包括高達300kHz固定頻率的準諧振(QR)和CCM/DCM混合模式反激式拓撲，簡化系統(tǒng)設(shè)計。兩款器件都可以通過選擇電阻來設(shè)定導通(TON)后的消隱時間，以防止噪聲引起雜散問題。SRK1000A關(guān)斷(TOFF)后消隱時間固定在2μs，SRK1000B是3μs。
這兩款器件均有輕載低功耗省電模式，當同步整流不再需要時，控制器便進入低功耗睡眠模式。實現(xiàn)方法是檢測原邊控制器是否進入突發(fā)模式或同步整流MOSFET管的導通時間是否低于TON最小預設(shè)值。控制器低功耗模式靜態(tài)電流僅為160μA。
SRK1000A和SRK1000B適用于最高19V的輸出電壓，在CCM模式下能夠?qū)⒎€(wěn)壓輸出保持至2V，支持4.5V-32V寬壓電源，漏-源極電壓額定100V。輸出灌電流高達1A，拉電流最高0.6A，用于控制外部N溝道同步整流MOSFET管的柵極。
SRK1000A和SRK1000B均采用2.9mm x 2.8mm 6引腳SOT23-6L封裝。
